Nviaid Tesla V100S發布:功耗不變性能提升
發布的精力:2019-12-11 08:46:02SC 2019超算多而階段,NVIDIA淡定從容上線了新的工藝頂極確定卡“Tesla V100S”,自然美就是說至今Tesla V100的升極手機版本。
Tesla V100最早的發布了于20110年6月份的GTC 2017設計大大會主持詞,由于新型的Volta伏特架構模式、GV100大內在理念,臺積電12nm加工制作工藝 制作,模塊化2十多億個晶胞管,的面積達815mm2直徑,都有5120個CUDA內在理念、640個Tensor張量內在理念,最先由于SXM2型態(300GB/s NVLink系統串口通信),很容易又曾加了PCIe型態(32GB/s PCIe系統串口通信)。兩年左右多上前了,Tesla V100的位置依舊會不可超越,而近期的Tesla V100S更進這一步,內在理念、運存同時起速,但工作電壓卻沒變。
Tesla V100S只有PCIe擴展卡一種形態,雙精度浮點性能8.2TFlops(萬億次浮點計算),單精度浮點性能16.4TFlops,深度學習性能130TFlops,相比于PCIe、SXM2版本的Tesla V100分別提升了最多17%、5%。
運存各方面,但依然適用HBM2,使用量特定在32GB而不在展示16GB微信版本,位寬仍為4096-bit,率從1.75GHz1到2.21GHz,下行帶寬也從900GB/s增多到1134GB/s。
不贏大面積的加速的與此同時,Tesla V100S的能耗即使恢復在250W,顯而易見不管是造成技術依然是主要結構都十分熟。
還有就是,從外歡看,Tesla V100S的“肩部”灰色背景從草生態改為了億萬富豪金色的,很會辨別。