SC 2019超算多而階段，NVIDIA淡定從容上線了新的工藝頂極確定卡“Tesla V100S”，自然美就是說至今Tesla V100的升極手機版本。

       Tesla V100最早的發布了于20110年6月份的GTC 2017設計大大會主持詞，由于新型的Volta伏特架構模式、GV100大內在理念，臺積電12nm加工制作工藝 制作，模塊化2十多億個晶胞管，的面積達815mm2直徑，都有5120個CUDA內在理念、640個Tensor張量內在理念，最先由于SXM2型態(300GB/s NVLink系統串口通信)，很容易又曾加了PCIe型態(32GB/s PCIe系統串口通信)。兩年左右多上前了，Tesla V100的位置依舊會不可超越，而近期的Tesla V100S更進這一步，內在理念、運存同時起速，但工作電壓卻沒變。

      Tesla V100S只有PCIe擴展卡一種形態，雙精度浮點性能8.2TFlops(萬億次浮點計算)，單精度浮點性能16.4TFlops，深度學習性能130TFlops，相比于PCIe、SXM2版本的Tesla V100分別提升了最多17%、5％。

       運存各方面，但依然適用HBM2，使用量特定在32GB而不在展示16GB微信版本，位寬仍為4096-bit，率從1.75GHz1到2.21GHz，下行帶寬也從900GB/s增多到1134GB/s。

不贏大面積的加速的與此同時，Tesla V100S的能耗即使恢復在250W，顯而易見不管是造成技術依然是主要結構都十分熟。

      還有就是，從外歡看，Tesla V100S的“肩部”灰色背景從草生態改為了億萬富豪金色的，很會辨別。